本论文研究的GaN薄膜是一种具有优良物理和化学性质的宽带隙半导体材料，并对该材料的生长、器件化以及离子注入等研究领域进行了系统地调研。由于离子注入对该材料的光学和电学特性影响很大，并且该方法也是目前成熟的半导体器件处理工艺，故而本工作选取离子注入对GaN材料光学特性影响这一课题进行研究。 实验过程中通过对离子注入样品室温光致发光谱的测量及分析系统地研究了注入离子对n型GaN薄膜光学特性的影响，并就光致发光谱中分别定位于2.2、2.9和3.36eV的特征黄光、蓝光以及带边峰发射带随注入离子种类和剂量的变化关系，给出了其产生的内部机理的合理推断。实验过程中采用的注入离子为：N、O、Mg、Si和Ga，剂量分别为1e13、1e14、1e15和1e16/cm2，注入温度为室温。注入后的样品在900摄氏度的流动氮气的环境下进行热退火，退火时间为10分钟。对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量。 通过实验结果的分析，笔者认为GaN材料的黄光发射带起因于带隙间杂质能级间的跃迁，是典型的DAP跃迁。通过本实验数据的分析，笔者独立提出了一个从离子注入过程中提取注入离子对晶体发光特性影响的半经验理论公式。