红外探测器能将人眼不可见的光波转变为人们可以利用的形式,从而可以获得更多的目标信息。这一重大优势促使其迅速发展并在工业、生活、科学研究和国防建设等领域得到了广泛的应用。碲镉汞探测器由于其优良的性能成为目前红外探测的主流产品,关于其特性的研究也自然成为红外探测技术领域的研究热点之一。激光辐照效应研究是研究材料和器件性能的重要手段,本文利用这一手段,系统研究了极端光照条件下线阵碲镉汞探测器的反常响应特性和闩锁效应,其研究结果可提升我们对碲镉汞材料和器件特性的认识,对改进材料和器件的性能具有重要意义。论文主要研究工作如下:1、实验发现了不同于以往的过饱和降压和零压输出现象,即探测器光响应电压达到饱和后,随着光能量的增大,光响应电压V2下降;当降至与基底信号V1的输出电压值相同时,V1随V2一起下降,直至降到零伏。研究表明,当激光能量大于探测器饱和阈值后,在探测芯片两端形成的开路电压使得P极偏置电压Vb升高是导致探测器过饱和降压、零压输出的主要原因。2、实验发现不同的致损单元在无光辐照时存在高低不同的电压输出;当有光辐照时,致损单元仍可继续光响应,但损伤单元光谱响应的敏感区向短波方向移动(蓝移),如致损单元比未损单元对1064nm的光响应更加敏感。研究表明致损单元耗尽层的电阻变化是导致受损单元无光辐照时仍存在不同程度电压输出的主要因素;致损单元碲镉汞Hg1-xCdxTe材料组分x增大是致损单元光谱响应区蓝移的主要原因。3、实验采用不同于以往波长和脉宽的激光成功复现线阵碲镉汞探测器的光致闩锁效应,并系统研究了闩锁效应的产生机理。研究表明光敏元阵列结构和读出电路内部结构均存在PNPN可控硅结构,较大光电流触发导通可控硅结构,是产生闩锁效应的主要原因。另外,论文在此基础上还探讨了闩锁效应可能的防护措施。