【摘 要】
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该文应用在离子能流限制区,刻蚀速率同入射的离子能流成正比这一实验结论,提出了一个二维半导体深槽反应离子刻蚀的刻蚀速率模型.首先对鞘层中无碰撞时的等离子体刻蚀轮廓进
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该文应用在离子能流限制区,刻蚀速率同入射的离子能流成正比这一实验结论,提出了一个二维半导体深槽反应离子刻蚀的刻蚀速率模型.首先对鞘层中无碰撞时的等离子体刻蚀轮廓进行了模拟.其次,在W.J.Chen等人研究的基础之上,且在考虑鞘层中离子的碰撞作用的条件下,对平行平板射频等离子体反应器、电感耦合等离子体反应器以及螺旋波等离子体反应器中的刻蚀轮廓进行了模拟,并进行了分析和对比.最后还利用电感耦合等离子体反应吕中A和Cl的修正的主子能量分布函数模拟中得到的参数计算出了实际的有量纲的参数数值,并通过对比n的模拟结果与实验结果,验证了这些参数的正确性.
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