AlN和Fe掺杂AlN薄膜的结构与性质

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【摘要】

：

氮化铝(AlN)薄膜由于具有较宽的带隙、较高的声表面波波速、优异的压电性能、较高的热稳定性和抗腐蚀性,在紫外光发射、光检测和声表面波器件等方面具有广泛的应用前景。理论预言,掺杂过渡金属元素的AlN薄膜在室温下具有铁磁性,可在自旋电子学器件和量子计算机等方面得到应用。本论文采用直流磁控溅射法,分别制备了未掺杂和Fe掺杂的AlN薄膜,对N_2分压及总溅射气体压强(Ar+N_2)的大小对AlN薄膜的结构

【作者】

：

高旭东

【机构】

：

天津大学

【发表日期】

：

2007年01期

【关键词】

：

AlN薄膜光学带隙折射率 Fe掺杂AlN薄膜稀磁半导体

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