Cs852nm法拉第反常色散光学滤波器特性研究

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该文在广泛地调研了国内外有关FADOF的发展状况的基础上,对Cs852mmFADOF的光学滤波特性进行了理论和实验研究.理论上,采用了量子力学不可约张量和角动量理论,对FADOF体系进行了理论分析,并根据外磁场与原子磁矩之间的相互作和能和原子内部作用的比较,区分为弱场和强场两种情况,在此基础上,分别给予了理论分析和计算.实验测得了FADOF在各种工作条件下的色散谱图,并针对典型的线翼工作方式进行了讨论和分析,并对磁场和温度这两个主要的影响因素对体系的影响进行了定性的分析.通过对色散谱图的分析以及将实验结果与理论计算相对比,认为理论计算能够比较好地反映FADOF的物理规律,理论和实验吻合较好.通过理论和实验的研究,该文认为,在色散介质长度为2cm的条件下,Cs852nmFADOF存在最佳的工作条件,即磁场强度0.0883T,温度为351K.
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