功率MOS是在集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件。LDMOS器件和VDMOS器件是功率MOS的典型代表,也是功率集成电路技术研究和实现的主流器件。但是目前的功率MOS并没有成熟的等效电路模型,所以,建立用于电路仿真的功率MOS (LDMOS、VDMOS)器件模型具有重大意义。本文首先深入研究了功率MOS器件的物理机制,并在此基础上,分别建立了功率LDMOS器件和功率VDMOS器件的模型。在本文中,对于功率LDMOS,双扩散沟道的掺杂浓度是一个变量而非常数,但是依然用解析的方法得到沟道区电流与电压的关系,从而得到一个精确有效的沟道区物理模型；而对于漂移区,根据横向电场分布及其对电子迁移率的影响等多方面的考虑,也给出了LDMOS漂移区电场的微分方程,该漂移区方程很好的描述了漂移区电场的分布,同样也用解析的方法求解,得到一个精确有效的漂移区物理模型。然后,同样也建立了一个类似的VDMOS器件的沟道区物理模型,再根据VDMOS纵向电场分布的微分方程,得到VDMOS漂移区物理模型。然后,通过与MEDICI软件的仿真结果对比,最终得到一个精确有效的LDMOS器件模型和一个VDMOS器件模型。最后,在此物理模型的基础上,建立一个功率LDMOS和一个功率VDMOS的等效电路模型。为了实现将本文设计的等效电路模型应用到功率集成电路的设计中,通过对目前各种电路仿真软件的比较,最终确定,将建立的等效电路模型嵌入到电路仿真软件SABER中,通过SABER进行电路仿真,验证了所建立的等效电路模型的精确性和有效性。