CMOS低噪声放大器研究与设计

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随着现代通信技术的飞速发展和市场需求的不断提高,对射频接收机的性能提出了更高要求。对于接收机中的射频电路模块而言,低噪声是一个非常重要的指标。高品质因数的单片电感是设计出优良性能的低噪声放大器的基础。低噪声放大器作为接收机的第一级其性能直接影响整机性能。因此,对低噪声放大器的研究,是十分有意义的。 本文从研究高品质因数的电感入手,总结了集成电感的现状与进展,详细介绍了集成电感的结构和模型,并设计了一个适合课题所要求的1.8GHz低噪声放大器的高品质因数的变压器型螺旋电感。在此基础上采用共源共栅源极去耦和增加极间电感结构,结合先进的射频集成电路仿真软件HP-ADS,对其进行匹配、仿真、优化设计,得到了较高性能指标的仿真结果。该课题由国家自然科学基金资助。 本文首先简要地介绍了低噪声放大器的发展趋势以及面临的主要问题;接着对单片集成电感的研究现状和发展趋势作了较详细的阐述,并对变压器型螺旋电感的品质因数进行了详细的理论分析和仿真论证;然后从理论上详细介绍了低噪声放大器设计的基本理论和匹配方法,并对稳定性判断依据的参数指标和电路的噪声性能指标作了较深入地探讨;最后,对设计的低噪声放大器采用有源负载和无源负载的仿真结果进行了分析和比较,并得出高品质因数的螺旋电感对提高低噪放的噪声性能的有效性。
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