ZnO作为一种宽禁带直接带隙半导体材料,其在室温下的禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,是继GaN后第三代半导体材料的又一代表,其优越的电子传输和光学性质,使其成为光发射器件的理想候选材料之一。相比于ZnO的其他结构,ZnO量子点具有制备过程简单可控、波长可调以及高量子产率等优势,在诸多领域有潜在的应用价值。ZnO量子点的发光波长除了与尺寸相关,还与其缺陷种类和数量相关。通过控制合成条件,获得了尺寸可控,光学性质良好且较为稳定的ZnO量子点,实现了对ZnO量子点紫外区和可见区发光的连续可调。本论文以ZnO量子点的紫外光发射器件和白光发射器件的设计和开发为主要研究内容,通过优化ZnO量子点的合成条件,构建了光发射器件,实现了ZnO量子点基光发射器件效率的改善和发光波长的调控。具体研究工作如下:利用溶胶-凝胶法制备得到ZnO量子点,通过改变合成条件实现对量子点发光波段的调控,具体研究了制备条件（改变反应浓度,反应时间和反应温度）对ZnO量子点发光波段的影响并表征了其光学性质。在此基础上,为了增强ZnO量子点的紫外发光效率,引入了碳量子点作为表面等离激元增强光发射材料。ZnO量子点的紫外光致发光在引入了碳量子点之后获得了极大的增强;同时构建了ZnO量子点/Al₂O₃/p-GaN以及ZnO量子点@碳点/Al₂O₃/p-GaN两个器件进行比对研究,发现在引入碳点后,LED的紫外发光效率也获得了较大的增强。另一方面,ZnO量子点可以通过改变合成条件获得较为强烈的黄光发射。利用这一特性,构建了ZnO量子点/p-GaN及ZnO量子点/Al₂O₃/p-GaN两个发光器件。研究表明,在加入了Al₂O₃作为电子阻挡层后,提高了ZnO量子点载流子的复合几率,同时获得了来自于p-GaN的蓝光及ZnO量子点的黄光相结合而形成的白光发射。