在基于EEPROM智能卡SOC平台中,EEPROM往往与其他存储器组合使用,较常见的是EEPROM组合Mask ROM方案。随着智能卡的发展,嵌入式Mask ROM由于与生俱来的不足已经逐渐无法满足日益增长的应用需求。而嵌入式OTP便于进行设计更改和库存控制,因此EEPROM组合OTP成为其取代方案。为了达到嵌入基于EEPROM智能卡SOC平台的目的,一种新型OTP单元被提了出来。这种新型OTP单元在传统ETOX结构OTP单元基础上优化了结构,使控制栅完全覆盖浮栅,从而在工艺上实现理想的嵌入,同时这样的结构优化还提高栅耦合率到77%,该提取过程使用本文提出的栅耦合率新修正法,结果与设计预算值75.5%非常接近,误差在2%以内。工艺上,如何使新型OTP工艺嵌入0.18um基于EEPROM智能卡工艺是一个关键。本文解决了其隧穿氧化层与EEPROM不同的问题,并基于EEPROM工艺的特殊性进行了新型OTP浮栅的光学近似修正,同时对源漏定义等其他工艺做了必要调整,最终新型OTP及SOC平台上其它器件均顺利流片完成。新型OTP单元电学特性测试时,本文根据其器件本身的性能制定出操作条件及规范,并符合业界标准;特别针对编程干扰和UV擦除能力的器件性能不足做出工艺和版图方面的优化,使新型OTP性能卓越,同时SOC平台上其它器件的性能未受影响。