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钙基介质材料由于具有适中的介电常数和低的介电损耗,已经作为谐振器、振荡器等关键电子元器件材料被广泛应用于无线通讯和军事领域。本文主要以钙基介质材料为研究对象,采用Pechini法制备Ca(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3(CMT)、Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3(CMN)和CaTiO_3(CT)介质薄膜的前驱体溶液,采用旋涂工艺制备CMT、CT、CMT/CT和CMN/CT介质薄膜。对CMT和CT薄膜制备条件优化,对其电学和力学性能进行研究。研究了预处理温度、预处理时间和退火温