近年来,杂化钙钛矿材料在光伏领域以及光电子领域异军突起,大放异彩,成为炙手可热的“明星材料”,而基于钙钛矿的发光二极管由于其优异的性能备受人们关注。在过去的几年中,红色和绿色发射的PeLED的发展迅速增长,相应的外部量子效率（EQE）已超过20%。然而,发蓝光的PeLED的研究进展因其材料质量差和器件结构不当的限制,仍具有一定挑战。本文以实现基于低维蓝色钙钛矿材料的发光二极管为出发点及目标,通过在钙钛矿中引入有机长链小分子,减小钙钛矿尺寸,降低钙钛矿维度,在反溶剂中添加有机小分子聚合物,对钙钛矿表面缺陷进行钝化,从而制备出多阳离子全溴钙钛矿薄膜。对薄膜进行一系列成膜条件优化,对器件进行结构优化,制备出高性能的蓝光钙钛矿发光二极管。本文的主要研究内容如下:首先,对基于PPABr的钙钛矿薄膜成膜条件和器件结构进行了优化。通过对钙钛矿溶液配比、反溶剂种类、反溶剂滴加时机、旋膜前溶液和基片温度的优化,获得PL光谱位于485 nm,PL峰值较大的薄膜,从而制备钙钛矿器件。薄膜优化结果为:钙钛矿溶液配比为PbBr2:CsBr:RbBr:PPABr=1:0.32:0.96:0.4,反溶剂为CF,溶液和基片的温度为70℃+70℃,旋涂速率为1000 r/min,旋涂时间为120 s且60 s后滴加反溶剂。基于优化后的钙钛矿薄膜,对蓝色PeLED的器件结构进行优化。基于PPABr的钙钛矿薄膜制造了两种不同器件结构（IPI结构和PEDOT:PSS结构）的钙钛矿器件。相较于IPI结构,PEDOT:PSS结构具有更出色的器件性能,其在488 nm处实现最大亮度1500 cd/m2,峰值EQE为1.42%,CIE色坐标为（0.074,0.255）。在不同施加偏压下,其相应的EL光谱的形状都没有明显的变化,说明器件具有出色的电致发光颜色稳定性。其次,基于PPABr的钙钛矿薄膜成膜条件和器件结构优化的基础上,在反溶剂三氯甲烷（CF）中引入有机小分子4,4’,4"-三（N-咔唑基）三苯基胺（TCTA）,通过对掺杂有机小分子TCTA的浓度的优化,获得表面致密,平整,均匀的钙钛矿薄膜,从而制备高性能钙钛矿器件。TCTA的引入能够有效提高钙钛矿薄膜的光致发光量子产率（PLQY）和荧光寿命,实现出色的电荷注入,提升器件效率。基于这一方法,优化的蓝色PeLED在488 nm处实现最大亮度2295 cd/m2,峰值EQE为1.95%,发射峰位于488 nm,半峰全宽为21 nm,CIE坐标为（0.074,0.255）。最后,研究了基于双长链（PEA和BA）的钙钛矿薄膜及其发光二极管。在反溶剂（三氯甲烷）中引入适当的有机小分子（聚（9-乙烯咔唑））,能够有效钝化薄膜表面缺陷,提高钙钛矿薄膜的光致发光量子产率（PLQY）和荧光寿命,实现出色的电荷注入并抑制了有效蓝光电致发光（EL）所需的非辐射复合,从而提升器件效率。基于这种方案,优化的蓝色PeLED具有出色的器件性能,其在488 nm处实现最大亮度3136 cd/m2,峰值EQE为3.49%,半峰全宽为21 nm,CIE坐标为（0.075,0.256）。最重要的是,优化的蓝色PeLED具有出色的色彩稳定性,在高偏压或连续工作下,其相应的EL光谱的形状都没有变化。