自从被发现之日起，碳纳米管（CNT）就一直是科学界和工程技术界研究的热点问题，其作为电子发射的冷阴极尤其令人关注。但迄今为止，碳纳米管场发射器件仍未上市，主要是在发射性能上还存在点密度不够高、电子发射不够稳定等问题，在发射机理的理解上也存在许多争论。碳纳米管发射性能的改善是其走向产业化的重要一步。本论文研究的目的就是进一步弄清发射机制，并通过对碳纳米管进行改性处理，提高其场发射性能。论文从碳纳米管生长工艺、场发射性能的改善以及场发射平板显示器制作等三方面进行了较为深入的研究。 建立了一台多功能超高真空系统。采用PECVD技术，不仅生长出了高质量的碳纳米管膜和高定向性的纳米管阵列，还控制生长出Y分支结构、带刺的碳纳米管、碳纳米管弹簧等新型碳纳米管结构。此外，PECVD还可在玻璃上低温生长碳纳米管膜。 系统研究了等离子体轰击对丝网印刷碳纳米管微结构和场发射性能的影响。发现碳纳米管微结构在等离子体处理过程中被改变，并提出了这种特殊形态碳纳米管可能的形成机理。发射性能的提高归因于纳米管电子结构和／或几何结构的变化。同时认为发射电流和发射点密度随处理时间的变化是发射机理改变的反映——等离子体处理前，电子主要从纳米管尖端发射，而处理后则变为主要从管壁上的纳米瘤发射。 通过两种方法——改善碳纳米管表面状态（降低表面势垒）和衬底-碳纳米管界面状态（减薄接触势垒）来改善PECVD碳纳米管膜的发射性能。研究了表面覆铪对碳纳米管膜发射性能的改善，证明碳化铪的存在使表面逸出功降低，从而在较低电场下便可获得可观的发射电流，且发射电流在10^-2Pa的低真空下也能保持稳定。另一方面，研究了衬底-碳纳米管接触对场发射性能的影响。认为衬底与碳纳米管间的接触势垒在场发射过程中起着重要作用。将双势垒模型引入场发射，并据此分析了Fowler-Nordheim（F-N）曲线的弯折是由于电子隧穿界面势垒的机制由直接隧穿（低场区）变为F-N隧穿（高场区）引起的。 设计并制作了性能良好的全封装大面积碳纳米管场发射平板显示器（c NT-FED）原型。将碳纳米管发射体与场效应晶体管伽OSFET)器件集成，设计并制作了基于501的功率MOSFET控制的碳纳米管场发射显示阵列，开辟了一条碳纳米管场发射平板显示器发展的新途径。