众所周知,电子器件在使用过程中要产生热,而且金属纳米线的熔点要低于相应的块体材料,产生的热量可能使纳米线熔化,因此研究一维金属纳米材料在熔化过程中的电输运性能对于未来纳电子器件的设计有着重要的意义。本文旨在利用多孔氧化铝模板在高温条件下性能稳定且一维纳米孔结构能保证纳米线熔化后仍保持原有一维尺度的特点,探索研究低熔点金属纳米结构在熔化过程中电子输运特性,揭示在该条件下新的物理现象,为构筑纳电子器件积累数据并提供新的思路。本文的主要内容如下:首先,以0.3mol/L的草酸为电解液,采用两步氧化法制备出具有直线型和Y型孔道的氧化铝模板,采用脉冲电化学沉积技术在AAO模板中成功合成了直线型和Y型的铋、铅纳米线阵列,并对其形貌和结构进行了表征。其次,通过示差扫描量热仪测量出各种纳米结构的熔化温度,并基于此设计相应的加热过程,进而使用数字源表测量铋和铅纳米线阵列的电输运性能。实验结果表明:直线型和Y型铋纳米线阵列的电阻在纳米线熔化之前是随温度升高而增大的,表现为正电阻温度系数,但熔化以后铋纳米线阵列的电阻随温度的升高而降低,表现为负电阻温度系数;而直线型铅纳米线阵列的电阻在熔化前后均是随温度的升高而增大的。最后,对熔化过重结晶的铋纳米线阵列,利用数字源表进行了多次高温循环测试。我们发现重结晶的试样再次熔化后纳米线阵列的电阻变化趋势与没熔化过的样品是一致的,但是重结晶试样的电阻温度系数转变点低于没熔化过的样品。