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铜铟镓硒（CIGS）材料具有转换效率高，稳定性能好，抗干扰、抗辐射等诸多优点，受到国内外光伏研究工作者的长期关注。本课题针对目前CIGS薄膜太阳能电池研究中关键材料即CIGS吸收层和ZnS缓冲层材料进行研究，旨在探索大面积、高质量CIGS和ZnS薄膜制备工艺路线，为CIGS薄膜电池器件的开发奠定基础。Ga元素在CIGS晶体中只是替代In元素的位置，起到调节CIS系化合物的禁带宽度的作用，可以在研究成熟CIS系化合物之后再加入Ga元素进行讨论，因此本课题主要研究CIS系化合物材料薄膜太阳能电池。本课题是以突破非真空法制作CIS膜层需要硫化或硒化的技术瓶颈，结合纳米材料具有的独特性能为出发点；选择基于溶液法合成CIS纳米晶制作CIS薄膜太阳能电池的方式。本课题主要按以下四个步骤开展研发工作：(1)基于溶液法合成CIS纳米晶，研究各种不同方法下合成的CIS纳米材料的区别；本课题已成功采用Schlenk line及微波加热法合成出不同颗粒尺寸的CIS纳米晶材料，并实现对CIS纳米晶颗粒尺寸在2～10nm间可调。(2) CIS吸收膜层制备方法研究。本课题采用旋涂法制作CIS预制膜层，经过500C下优化热处理重结晶，获得致密的CIS膜层，详细探索分散剂和优化热处理条件对CIS吸收膜层的影响。(3) N型材料膜层的制备研究。为结合P型膜层制作光电器件，本课题对N型材料膜层制备工艺进行探索，成功使用化学水浴法制备出均匀致密的ZnS膜层。(4) CIS纳米材料的光电性能的初步研究。为验证溶液法合成的CIS纳米材料制作的CIS吸收膜层具有光电性能，在本实验中我们采取简便的方式验证。将P型CIS膜层与N型材料膜层直接物理性接触，制作出简单的PN结光电器件，在模拟太阳光测试条件下能检测到了开路电压和短路电流，由此可以初步证明合成的CIS纳米材料具备光电性能。本论文研究了CIS纳米晶体的合成技术、并探讨了相应薄膜的制备工艺，初步研究了其在太阳能电池中的光电性能。该方面的研究可以为CIGS薄膜电池器件的开发奠定基础。