MgZrNb₂O₈陶瓷因具备较好的微波介电性能吸引了各国研究者们的关注。本文使用传统的固相烧结法制备了MgZrNb₂O₈陶瓷,分析了不同的离子取代对其晶格结构及微波介电性能的影响,并探究了影响其微波介电性能的本征因素。研究了使用五价Ta⁵⁺离子进行取代对陶瓷样品的结构及微波介电性能的影响。Ta⁵⁺离子取代的陶瓷样品烧结温度较高,为1300^oC。Ta⁵⁺离子取代量的增加使样品的晶胞体积逐渐降低,介电常数ε_r下降,品质因数Q×f上升,谐振频率温度系数τ_f下降。研究了使用四价Sn⁴⁺离子进行取代对陶瓷样品的结构及微波介电性能的影响。在1260^oC的烧结温度下实现了致密烧结且均为纯相,随着Sn⁴⁺离子取代量的增加,晶胞体积降低。Sn⁴⁺取代量的增加导致介电常数ε_r的下降,品质因数Q×f的上升,谐振频率温度系数τ_f的下降。研究了使用二价Ni²⁺、Co²⁺离子进行取代对陶瓷样品的结构及微波介电性能的影响。两种离子取代后的样品均呈纯相没有第二相的生成。由于Ni²⁺、Co²⁺离子具有不同的离子半径,在进行离子取代时晶胞体积也展现出了不同的变化规律,微波介电性能也呈现出不同的变化情况。当Ni²⁺离子取代量为0.08时具有最佳的微波介电性能:ε_r=24.58,Q×f=74534.1GHz,τ_f=-49.11ppm/^oC;当Co²⁺离子取代量为0.02时具有最佳的微波介电性能:ε_r=25.18,Q×f=70709GHz,τ_f=-46.09ppm/^oC。在离子取代具有最佳微波介电性能的MgZr_0.85Sn_0.15Nb₂O₈基础上,研究了MgZr_0.85Sn_0.15Nb₂O₈陶瓷随烧结温度的改变其晶体结构及微波介电性能的变化情况。随着烧结温度升高,陶瓷样品晶胞体积先降低后升高,烧结温度升高也导致陶瓷样品微波介电性能发生变化:ε_r升高,Q×f先升高后下降,τ_f先升高后下降。分析了影响陶瓷微波介电性能的内部因素:介电常数主要与键离子性、离子极化率有关,品质因数主要与晶格能、堆积密度有关,谐振频率温度系数主要与键能、键价有关。