近年来,硅半导体材料器件工艺的发展即将遇到瓶颈,摩尔定律也将走向终结.因此,科学家将更多精力集中在拥有极高潜能的一维、二维纳米材料上。作为二维半导体材料的代表,二硫化钼以其极高的开关比、较高的电子迁移率、单分子层厚度以及柔性可弯曲的特点得到了最广泛的研究。另外,因具有直接带隙及很高的比表面积,二硫化钼在光电探测领域显示巨大的应用前景。然而,目前高质量大面积二硫化钼薄膜的制备依旧是一大难点,且二硫化钼基光电探测器的响应率较低。基于以上研究现状,本人系统地开展了以下两方面研究:1,二硫化钼的生长机理,尤其是反应体系蒸气压对反应产物的影响。研究发现只有在一个较为严苛的反应窗口期内,才能稳定得到大面积的三角形二硫化钼单晶。我们制备的晶体薄膜边长可达到178μm,且厚度为单层。通过形貌、晶体结构、拉曼与光致发光光谱以及X射线光电子能谱的表征,我们确定了得到的二硫化钼具有极高的质量。2,通过在二硫化钼表面沉积银纳米颗粒（Ag NPs）,产生局域表面等离子体共振效应（LSPR）,实现了二硫化钼场效应晶体管光响应率的大幅增强。器件的响应率随颗粒粒径的大小有先增后降的趋势,当粒径分布以25 nm为中心时,响应率高达2.97×10⁴ A W^-1,增幅达470%。我们相信,本工作对二硫化钼材料生长和光探测器件性能优化具有指导意义与广泛的适用性。