Mg掺杂ZnO纳米薄膜和纳米结构的制备及特性研究

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由于ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料而且具有较大的激子束缚能,所以在科学研究和技术应用领域很受关注。通过掺杂,ZnO纳米材料可以改变性质和提高性能,因此国内外多个研究小组通过不同的方法成功制备出多种元素掺杂ZnO纳米材料。而通过Mg掺杂,可以实现对ZnO能带调制作用,从而获得更加广泛的应用。本研究小组成功利用CVD法制备出了Mg掺杂纳米线、纳米带及非掺杂鱼刺状ZnO纳米结构,分析了样品材料的结构、形貌、组分和发光特性,并探讨了其形成机理。1. Mg掺杂ZnO纳米线
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