随着无线通信技术向微波频率方向的持续扩张,人们对具有低价格、高性能特点的介电陶瓷材料的需求日益增多。最近几年中,铝基陶瓷由于其比较好的介电性能、低廉的价格,因而是具有很大应用潜力的微波介电陶瓷,在现今的学术界中已然成为研究的焦点。但目前对这类材料的研究大多集中在添加物对铝基陶瓷的影响、降低烧结温度和微波介电性能的测试。这种材料在低频方面的介电性能研究需要有更多地了解。本文是以铝基介电陶瓷材料LaAlO3(LAO)和SmAlO3(SAO)作为代表,分别研究了它们在低频高温条件下的介电性能。LAO和SAO陶瓷样品都是由传统的固相反应法制备的,并使用XRD和SEM分析了样品的相结构和表面形貌特征,然后我们测量了样品的高温介电性能(其中测量温度范围为100～800℃、频率范围为20Hz～10MHz)。结果发现在温度低于220℃的时候,LAO和SAO陶瓷样品的介电常数都在20附近,它们的介电常数随着温度和频率的改变都没有发生变化,这种特征表明这是样品固有的介电行为,是由于电子或者离子的极化引起的。当温度高于220℃时,我们发现LAO和SAO陶瓷样品都具有两个介电弛豫,且都与氧空位的扩散有关。在LAO陶瓷样品中,低温介电弛豫(R1)和高温介电弛豫(R2)的激活能分别为1.13和1.9eV,低温介电弛豫是由于氧空位在体内跳跃引起的,高温介电弛豫是由于界面效应引起的Maxwell-Wagner效应。在SAO陶瓷样品中,低温介电弛豫(PA)和高温介电弛豫(PB)的激活能分别为0.95和0.74eV,低温介电弛豫是由于氧空位在体内跳跃引起的,高温介电弛豫是由于样品和电极的接触引起的界面效应。在SAO陶瓷样品中我们还发现一个与氧空位分布有关的类似相变的峰。