近年来,无线通信迅速发展,作为其关键模块,射频集成电路成为当前的研究热点。随着CMOS工艺的发展,器件性能有很大提高,在射频集成电路中用CMOS工艺代替传统的GaAs、BiCMOS等工艺成为可能。但一些二级效应以及衬底串扰等也会变得更加显著,给电路的设计带来了许多困难,特别是电源电压的降低使得传统的电路拓扑结构不能满足设计的要求。混频器是GPS接收机射频前端电路的核心模块,其性能直接影响整个系统的性能以及系统对其他功能模块的要求,本文采用三级下变频结构。基于这种背景,本文提出了一种高性能(低压、低噪声、高变频增益)下变频混频器,但又对它进行了多方面的优化,包括采用交流藕合互补跨导级和以阈值电压为基准的自偏置电路,有效的提高了混频器的各项性能。本文对该混频器进行了详细的分析,并在此基础上,调整电路参数,设计三级下变频混频器,最后给出了需要进一步改进的地方。设计采用中芯国际0.18μm CMOS RF工艺库,使用Spectre RF工具进行仿真、Virtuoso Layout Editor工具完成版图设计,并完成后仿真。仿真结果显示主要性能如下:第一级电压变频增益为13.3dB,噪声系数为8.9dB:第二级电压变频增益为30.7dB,噪声系数为10.3dB;第三级电压变频增益为58dB,噪声系数为4.3dB。电路都工作在电源电压1.8V下。同时也进行了后仿真。