在全球性环境污染和能源危机日趋严重的今天,如何有效利用太阳能来治理污染已引起世界各国的广泛关注。半导体氧化物多相光催化技术,因具有能广泛地利用太阳能,并且能耗低、反应条件温和、操作简便、无二次污染、特别对生物难降解有机污染物具有很好的氧化降解作用等突出特点,已成为环境污染控制和治理方面的研究热点。在众多的半导体氧化物中,TiO₂因其良好的光电特性,光照射下能够被光子激活,在表面发生很强的氧化（或还原）作用,将绝大多数有机污染物降解并最终完全矿化为CO₂、H₂O和其他一些无机小分子物质而消除对环境的污染,以及化学性质稳定、安全无毒、来源丰富等特点,使之成为目前最为广泛和成熟的半导体氧化物材料之一。然而, TiO₂的禁带宽度较大（锐钛矿型TiO₂的Eg≈3.2eV）,光催化仅限于紫外光区,而太阳光中紫外光（300nm～400nm）的含量只占3%～4%,太阳能利用率低;并且量子产率同样较低。因此,本文拟采取掺杂的方式制备高性能的TiO₂催化材料,以提高其光催化效率。本文首先简要介绍了半导体光催化的基本原理,在总结和评述了提高半导体光催化总量子效率和太阳能利用率的各种方法及其研究进展和面临的主要问题的基础上,采用廉价易得的无机盐TiCl₄为钛源,硫脲为均相沉淀剂并提供硫元素,在微波辐照下合成了S掺杂的纳米TiO₂前驱体,然后在NH3/N2气氛中经程序升温的煅烧处理得到N、S共掺杂纳米TiO₂光催化剂。以纳米TiO₂的平均晶粒度、晶相结构和光催化活性为指标,考察了TiCl₄初始浓度、微波作用功率、微波作用时间、微波作用温度以及NH₃/N₂气氛中氮化温度等因素对制备的光催化剂性能的影响,得到N、S共掺杂纳米TiO₂制备的最佳工艺条件:初始c（Ti4+）为0.9 mol·L-1,微波作用功率900W,微波作用时间0.5h,微波作用温度95℃,NH2/N2气氛中高温氮化温度500℃。采用XRD、UV-Vis/DRS、FT-IR、XPS、TG-DTA和TEM等现代分析测试手段对所制备的N、S共掺杂纳米TiO₂结构和性能进行表征。结果表明,所制备的N、S共掺杂可见光响应纳米TiO₂光催化剂为锐钛矿型和金红石型的混晶,晶粒基本呈球形或类球形,平均晶粒度在15～20nm之间;N元素以两种掺杂态存在:一种是以N₃-替位取代O₂-进入TiO₂晶格形成Ti-N-Ti联接的掺杂态,另一种是通过化学吸附NH₃或NH₄⁺进入晶格原子间隙产生的掺杂态;S元素掺杂以S⁶⁺取代Ti⁴⁺进入TiO₂晶格,使晶格局部畸变,导致TiO₂的带隙变窄;而N、S共掺杂纳米TiO₂具有可见光催化活性是因为N、S元素的掺杂在禁带形成了新的杂质能级,使光催化剂的吸收边带红移至500～550nm处。掺杂N、S元素的纳米TiO₂具有较强的光催化活性,光催化剂对甲基橙的可见光催化降解满足准一级动力学模型,且N、S元素的共掺杂对光催化剂的可见光催化活性具有协同作用。同时,离子液体的添加对光催化剂的晶相组成有很大影响,并且有助于N、S元素的掺杂;添加阴离子为[BF₄]^-的离子液体可以引起F^-吸附在TiO₂表面的F元素掺杂;可见光降解甲基橙表明,添加离子液体后催化剂可见光活性得到提高。最后,初步探讨了其提高可见光活性机理。