随着微电子技术的不断发展,对晶圆表面洁净度的要求越来越高,使微电子晶圆清洗工艺面临着许多技术难题。本论文主要是针对目前普遍采用的传统的RCA清洗技术的不足,如耗费大量的高纯化学试剂,高纯去离子水,工艺步骤繁杂,污染破坏环境等一系列问题,研究一种新型电化学氧化清洗技术。论文对目前微电子清洗做了详细的介绍,并介绍了目前普遍采用的几种清洗方法以及各种方法的优缺点。引入本论文所用的电化学氧化清洗方法,以及验证该技术应用于微电子清洗中的可行性；该新型清洗方法应用硼掺杂金刚石膜作为阳极进行电化学氧化,阳极电解槽产物为具有强氧化性的氧化液,可以将水氧化成双氧水,并能生成臭氧,利用这种强氧化溶液来进行有机物污染的去除；颗粒污染和金属离子污染采用非离子表面活性剂和金属离子螯合剂去除；电化学氧化去除有机污染物放在最后一步进行,是因为,电化学氧化液可以同时将晶圆表面残留的活性剂和螯合剂残留一并去除,不会由于试剂的使用造成二次污染。因此,该方法是一种高效、环保的清洗技术,能够达到并超过现有清洗技术的清洗效果。