【摘 要】
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立方氮化硼(Cubic Boron Nitride,简称cBN)有着优异的物理化学性质,硬度高、耐磨性好、抗氧化能力强、不易与铁系金属发生反应、可进行P型和N型掺杂,使其在机械切削加工、光学和电子领域有着非常明朗的应用前景。但是目前国内对CVD法制备cBN的研究工作尚不成熟,因此开展CVD法cBN薄膜的制备研究工作有着重要的意义和价值。为探索cBN薄膜的制备工艺,本文开展在不同衬底上制备cBN薄膜
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立方氮化硼(Cubic Boron Nitride,简称cBN)有着优异的物理化学性质,硬度高、耐磨性好、抗氧化能力强、不易与铁系金属发生反应、可进行P型和N型掺杂,使其在机械切削加工、光学和电子领域有着非常明朗的应用前景。但是目前国内对CVD法制备cBN的研究工作尚不成熟,因此开展CVD法cBN薄膜的制备研究工作有着重要的意义和价值。为探索cBN薄膜的制备工艺,本文开展在不同衬底上制备cBN薄膜的基础工艺研究。所完成的工作和取得的成果如下:1.分析了直流喷射等离子体CVD设备沉积原理,根据
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