目前,薄膜晶体管(Thin Film Transistor-TFT)的快速发展促进了电子信息产业的不断发展,其中,金属氧化物半导体器件因其优良的电学性质以及在显示和柔性电子领域的广泛应用发展迅速。然而,金属氧化物半导体薄膜晶体管主要集中在n型半导体器件上,比如,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)TFTs和锌锡氧化物(ZTO) TFTs,之后很少一部分p型金属氧化物半导体材料被报道过应用在薄膜晶体管中,而且它们仅限于作为简单的涂层应用于电子工业发展中。随着电子信息产业的日益发展,p型金属氧化物薄膜晶体管的滞后发展制约了p-n结器件、透明电子器件以及柔性显示屏等领域的发展。最近几年,氧化亚锡(SnO)材料受到了人们越来越多的关注。SnO具有较高的空穴迁移率μ,被认为是制造优良p型TFTs的材料之一。本论文中p型SnO部分主要研究了如何制备高性能的p型SnO TFTs,主要工作及成果如下：(1)使用射频磁控反应溅射方法成功制备出高性能的p型SnO薄膜。(2)利用X射线衍射(XRD)研究了退火处理和射频溅射功率对SnO薄膜的影响,发现真空400℃退火1小时之后,SnO薄膜的结晶性明显提高。(3)研究了选择不同金属电极以及制备薄膜晶体管中Shadow Mask处理对p型SnO薄膜晶体管电学性质的影响。(4)研究了不同沟道层厚度对p型SnO薄膜晶体管电学性质的影响。