【摘 要】
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上世纪末至今,量子点光电探测器(Quantum dot photodetector, QDP)技术取得了长足的发展。与其它光电探测技术相比,Ⅲ-Ⅴ族化合物材料量子点光电探测器具有工艺成熟、热稳定
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上世纪末至今,量子点光电探测器(Quantum dot photodetector, QDP)技术取得了长足的发展。与其它光电探测技术相比,Ⅲ-Ⅴ族化合物材料量子点光电探测器具有工艺成熟、热稳定性好、多色探测和均匀性高等优势。论文针对高灵敏、宽动态范围和良好光电存储特性的InGaAs/GaAs双势垒量子点光电器件,进行CCD读出研究。具体研究内容有：1、InGaAs量子点光电探测器的电荷转移读出。2、64元双势垒量子点光电探测器和CTIA读出电路对接线列的光电响应。3、应用氦气循环制冷技术,验证了读出电路芯片能在45K的低温环境下工作。
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