近年来,随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断发展,其应用也越来越广泛,并被视为非晶硅薄膜晶体管的理想替代品。多晶硅薄膜晶体管由于具有比非晶硅薄膜晶体管高得多的迁移率(10～100 cm2/v.s),因而其不仅可以用作有源矩阵液晶显示中的寻址开关元件,还可以集成制作液晶显示阵列的外围驱动电路,从而实现在同一玻璃衬底上集成显示阵列与外围驱动电路。目前,多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题是泄漏电流比较大,它会使有源阵列显示中象素点的电压下降而影响显示质量。因此,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的研究与建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。 首先,本文从泄漏电流分析出发,通过对应力效应和产生机制的分析,讨论各种产生机制的可能性,确定了两种产生机制为泄漏电流的主要产生机制。 然后,本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,并对沟道电场进行分析,把泄漏电流划分为两个产生区域,从而提出了一个在较大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型,该模型可嵌入电路仿真器。 最后,本文分析了泄漏电流的抑制原理,并对各种抑制结构进行了总结。