多晶硅薄膜晶体管相关论文
TFT-LCD已成为平板显示的主流.作者尝试了一种新的不采用离子注入的方法制备P-Si、TFT单管器件,并取得了初步成功,测得的电流开关......
在本文中,作者采用磁控溅射法在a-Si:H薄膜上溅射-薄层金属Ni,然后在500℃下退火晶化,获得多晶硅薄膜,并观察到横向晶化.......
多晶硅薄膜晶体管被广泛应用于各类电子产品,所具有的较好电学特性与低廉造价使其备受追捧。但由于Poly-Si TFT晶界间存在离散分布......
本文提出了一种基于多晶硅薄膜晶体管的有源矩阵有机发光二极管显示的像素驱动电路。此像素驱动电路采用电流型驱动方式，仅包含......
该文以a-Si薄膜的低温、快速晶化为目标,从实验和理论上开展了深入的研究.着重深入研究了Al诱导横向晶化的p-Si薄膜的形貌、微结与......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)因其在有源矩阵液晶显示器(AMLCD)、固体图像传感器、打印机、扫描仪以及三维(3-D)集成电路等方面......
准分子激光诱导a-Si晶化是低温制备优质p-Si薄膜最有希望的方法.研究准分子激光诱导结晶硅膜的化学、结构特性及脉冲激光作用下a-S......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFTs)不仅可作为有源阵列液晶显示(AMLCD)的开关元件,也可以用于在玻璃衬底上集成设计AMLCD的驱动电路,......
多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)在有源矩阵液晶显示(AMLCD)和静态随机存取存储器等应用中发挥越来越重要的作用。Poly-Si TFT较单......
多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)在有源矩阵液晶显示(AMLCD)和静态随机存取存储器等应用中发挥越来越重要的作用。Poly-Si TFT较单......
多晶硅薄膜晶体管(Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor,简称Poly-Si TFT)目前广泛应用于有源矩阵液晶显示(Active-Matr......
随着现代信息技术的发展与平面显示（FPD）产业的兴起，多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）在有源矩阵液晶显示（AMLCD）、有源有机发光二极管（AMOLE......
随着近年来多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)技术的不断发展，其应用越来越广泛，并逐渐被视为传统非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)的理想替代品。......
讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄......
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素......
提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高......
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过......
二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径。首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管（TFT），并完整地考虑晶......
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能......
讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用ＸｅＣｌ准分子激光对ＰＥＣＶＤ法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶......
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值......
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流， 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果， 使漏极电流降低到10-11A量级， ......
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比,制作工艺简单,而且提高了场效应迁移率和漏......
根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)的特性，使用Oread作为辅助工具．设计了应用于132(RGB)×176 TFT—LCD的栅驱动电......
利用Tsuprem4和Medici软件，研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数，如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响，得到了它们之间的关系......
从准二维泊松方程出发，结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论，建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流方......
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考......
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因，本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构，它可以......
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置.为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示......
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象......
1引言多晶硅薄膜晶体管（P-SiTFT）在有源LCD和有源OLED中都有重要应用。在有源LCD中，a-SiTFT LCD目前占据绝大部分市场，尤其在大尺寸液......
显式地推导多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon thin-film transistors，poly-Si TFT）表面势隐含方程的近似解，该求解法非迭代的计算大大地提......
在普通玻璃衬底上低温（600度以下）制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点，采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TF......
讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自......
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢......
本文利用薄层电荷理论，建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon Thin-Film Transistors，poly-Si TFTs）的电流模......
多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFTs）技术在SOP（system on panel）显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小，P-SiTFT的Kink效应越......
随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提......
利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数,......
我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板.通过......
对采用金属诱导单一方向横向晶化（metal induced unilaterally crystallization，MIUC）并结合激光后退火技术，以提高多晶硅薄膜晶体管的......
本文利用准分子激光晶化技术制备了低温多晶硅薄膜晶体管,研究了不同激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶粒尺寸以及器件电学特性的影......
近年来，多晶硅薄膜晶体管-液晶显示器获得开发，并日趋批量化生产。为进一步提高低温多晶硅薄膜晶体管的性能，实现其品质均匀化，日本石......
模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT/OLED耦合对的J-......
提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区。并利用......
泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题，多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意......
低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面，研究了热载流子（HC）应力下，N型金属诱导横向结晶（MILC） LTPST ......
显示技术从过去的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示,已经发展到现在成熟的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liqui......
由于模拟电路和数字电路的性能强烈地依靠晶体管的输出电阻，所以这些电路的精确模拟要求准确模拟出饱和状态下的输出特性。然而，已经......
从kink效应产生的物理机理出发，介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法．一种是基于面电荷的方法，另一种......
