【摘 要】
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该文分析了应变量子阱材料的能带理论,讨论了应变效应对能带结构的影响;从研究分析能带结构的k·p微扰理论出发,对压应变、张应变量子阱的能带结构进行了计算分析;行波半导体
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该文分析了应变量子阱材料的能带理论,讨论了应变效应对能带结构的影响;从研究分析能带结构的k·p微扰理论出发,对压应变、张应变量子阱的能带结构进行了计算分析;行波半导体光放大器的腔面剩余反射率是影响放大器性能的重要因素,采用斜腔结构并在放大器端面蒸镀多层抗反(AR)膜是获得光放大器腔面超低剩余反射率的有效手段,该文从薄膜光学基本理论出发,给出了半导体光放大器腔面抗反膜的设计和计算;在该文中,尝试设计并制作AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,实验结果显示,当器件工作温度从25℃升高至65℃时,增益降低小于3dB,并且在不同的温度情况下,器件都能保持较小的偏振相关性,因此,AlGaInAs材料系具备制作高性能半导体光放大器的潜力,有必要进一步深入研究.
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