功率半导体器件是电力电子装置的重要组成部分，它迅猛的发展极大地推进了电力电子技术的进步。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种综合了电力MOSFET和双极型晶体管优点的功率半导体器件，广泛应用于电机控制等领域中。电子电路的效率主要取决于器件的功率损耗，并且IGBT在较高的工作频率下，由于开关损耗的增大易导致永久性损坏，所以研究IGBT的功率损耗具有很重要的意义。　　计算机仿真以理论、数值分析和计算机为基础，能够真实地反应电路的特性，通过建立仿真模型和分析输出信息，能够改善与优化系统结构。通用仿真软件中没有IGBT的仿真模型，而PSpice仿真软件可使用一些基本的器件模型建立IGBT的模型，并且能够得到相对其它软件更精确的仿真结果。　　本课题首先回顾功率半导体器件的发展状况，介绍国内外IGBT建模和损耗分析的现状，分析IGBT的结构、特性、工作原理及应用前景，为建立IGBT模型打下基础;重点以PSpice软件作为仿真平台，建立IGBT的静态和动态模型，详细分析模型的结构、参数配置，对模型的功率损耗进行深入地分析与计算。结合数据手册，与实际器件IRGSL30B60K型IGBT作对比，仿真和计算结果基本一致，由此验证模型的正确性和可靠性。本文所设计的IGBT模型已达到预期目标，能够用于实际IGBT器件的结构、特性及其电路系统的研究。最后提出一种降低IGBT损耗的方法，在恒流充电系统中试验，寻求使系统效率最大的参数设计。