【摘 要】
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该研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺制备Al/BaLaNbTiO/SiO/Si结构,并形成由平面型BaLaNbTiO薄膜电阻结构和MIS结构并联的元件,该文研究薄膜电阻结构的热敏特性.我们制备
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该研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺制备Al/Ba<,1-x>La<,x>Nb<,y>Ti<,1-y>O<,3>/SiO<,2>/Si结构,并形成由平面型Ba<,1-x>La<,x>Nb<,y>Ti<,1-y>O<,3>薄膜电阻结构和MIS结构并联的元件,该文研究薄膜电阻结构的热敏特性.我们制备了不同膜厚的平面电阻器样品,并从理论和实验上对它们的热敏特性和电容效应进行研究.
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