随着电磁环境越来越恶劣,当单层屏蔽结构不能满足某些特定情况下的屏蔽要求时,人们更多地转向对多层屏蔽体的研究以保证电子设备能正常工作。在工程实际中,多层屏蔽拓扑结构相比于单层屏蔽结构以其超高的屏蔽性能,得到了极为广泛的应用,因此对多层屏蔽拓扑结构的屏蔽效能研究具有重要的工程实际意义。本文针对工程中常见的两类多层屏蔽拓扑结构,因屏蔽体表面的孔缝而造成的电磁泄露,研究其屏蔽效能及影响因素;针对多层屏蔽体的超高性能屏蔽效果,而一般的屏蔽效能测试系统动态范围的局限性,研究多层屏蔽体与单层屏蔽体在屏蔽效能上的关系,并设置一个实验来验证结果的正确性。最后针对多层屏蔽体实际使用中,互连线缆造成的电磁泄露,研究其屏蔽效能并探究线缆对屏蔽效能的影响,总结出相应规律。通过上述研究,为实际多层屏蔽体的设计和应用提供思路与准则。本文的主要工作如下:(1)对带孔缝的多层屏蔽体的屏蔽效能研究。针对串联型多层屏蔽体,建立解析模型,使用基于并矢格林函数的Bethe小孔耦合理论分析其屏蔽效能及影响因素;对于嵌套型多层屏蔽体,使用数值仿真的方法分析孔缝相对位置、形状及孔阵对其屏蔽效能的影响,并给出多层屏蔽体设计的建议。(2)探究单层屏蔽与多层屏蔽之间的关系。针对工程中用每层屏蔽体屏蔽效能值相加,来衡量多层屏蔽体的屏蔽效能而存在的问题,采用Bethe小孔耦合理论和电磁场辐射理论,分别在低频段、谐振频段、高频段推导出多层屏蔽体屏蔽效能与每层屏蔽体屏蔽效能相加结果之间的修正计算方法,并在高频段进行测试验证,理论修正值与实际测试值误差最大为7.87d B,表现出良好的一致性。(3)对带线缆的多层屏蔽体的屏蔽效能研究。建立多层屏蔽体中互连线缆电磁泄露模型,分析其电磁泄露过程,使用数值仿真的方法探究干扰源极化方向、腔体外线缆长度对多层屏蔽体的屏蔽效能影响,并总结出相应规律,对多层屏蔽体实际使用提出对应的建议。