电子科学技术的高速发展对功能材料的要求日趋提高,电介质材料（如压电材料、储能材料）在电子信息领域占有重要位置。铅基材料由于其优异的性能,在压电和储能领域均占据主导地位。但是由于铅的毒性、易挥发性,急需研发性能可与之媲美的无铅功能陶瓷材料。在已知的无铅功能陶瓷材料中,铌酸银（AgNbO₃）基陶瓷是近年来备受瞩目的新型无铅介电材料,其在压电和反铁电储能领域都有一定的研究和应用前景。AgNbO₃为钙钛矿结构氧化物,其铁电、反铁电相的稳定性与容差因子t(t=（R_A+R_O）/√2（R_B+R_O）有关。可以通过调控容忍因子t来实现AgNbO₃铁电-反铁电相转变。基于此思想,本论文通过传统固相法合成了Li⁺、Na⁺、K⁺掺杂改性、BiMnO₃复合的AgNbO₃基陶瓷样品,研究了Li⁺、Na⁺、K⁺、BiMnO₃的引入量对AgNbO₃陶瓷显微结构、相结构、铁电性/反铁电性的影响,得到以下结论:1、(Ag_1-xLi_x)NbO₃陶瓷均为单一的钙钛矿结构。随着Li⁺掺杂量的增加,(Ag_1-xLi_x)NbO₃陶瓷的室温相结构由正交相转变为菱方相,晶粒尺寸由27μm增大到38μm,相对密度由96.5%增加到98.5%。晶粒生长由Li⁺取代Ag⁺使晶格活化引起。在150kV/cm下,AgNbO₃陶瓷的P_r为7.8μC/cm,而(Ag_0.92Li_0.08)NbO₃陶瓷的P_r为24μC/cm,同时E_A、E_F消失,表明Li⁺的引入可以显著增强AgNbO₃陶瓷的铁电性。2、(Ag_1-xNa_x)NbO₃陶瓷均为单一的钙钛矿结构,室温时均为正交相。随着Na⁺引入量的增加,(Ag_1-xNa_x)NbO₃陶瓷的晶粒尺寸由23μm增大到28μm,相对密度均在96%以上。晶粒生长由Na⁺取代Ag⁺使晶格活化引起。当Na⁺引入量增加到10mol%时,E_A、E_F分别由50kV/cm、105 kV/cm增大到60kV/cm、150 kV/cm;P_r由8.1μC/cm降低到3.5μC/cm。表明Na⁺的引入可以显著增强AgNbO₃陶瓷的反铁电稳定性,这是由小尺寸的Na⁺取代大尺寸的Ag⁺导致容差因子降低引起的。200kV/cm时,(Ag_0.9Na_0.1)NbO₃陶瓷的W_rec为2.2 J/cm³,储能效率（η）为40%。3、(Ag_1-xK_x)NbO₃陶瓷均为单一的钙钛矿型结构。随着K⁺的引入,(Ag_1-xK_x)NbO₃陶瓷样品的晶粒尺寸由35μm逐渐减小到15μm,相对密度均在98%以上。当K⁺引入量增加到10mol%时,E_A、E_F消失,P_r由7.8μC/cm增大到36μC/cm。表明随着K⁺引入AgNbO₃陶瓷的铁电性增强,这是由于大尺寸的K⁺取代小尺寸的Ag⁺导致容差因子增大引起的。4、AgNbO₃-xBiMnO₃陶瓷均呈现出单一的钙钛矿型结构。随着BiMnO₃含量增加,陶瓷样品的晶粒尺寸由15μm逐渐增大到22μm,相对密度均在96%以上。晶粒生长由BiMnO₃引入使晶格活化引起的。BiMnO₃的引入对AgNbO₃陶瓷介电常数几乎没有影响,介电损耗由6%降低到2%,这是由致密性增加所致。在x=0⁰.6 mol%范围内,AgNbO₃-xBiMnO₃陶瓷的P_max由37.5μC/cm降低到32.5μC/cm,P_r由4.8μC/cm降低到2.5μC/cm,E_F、E_A分别由110 kV/cm、50 kV/cm增加到130 kV/cm、70 kV/cm。表明BiMnO₃的引入可以显著增强AgNbO₃陶瓷的反铁电稳定性,这是由于BiMnO₃的引入导致了t减小。同时,M₂相的出现也可能是增强的反铁电稳定性的原因。150kV/cm时,AgNbO₃-0.6BiMnO₃陶瓷的W_rec提升至2.2 J/cm³,储能效率（η）为54%。