Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的制备和性质研究

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【摘要】

：

ZnO是一种宽带隙的半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具备优异的紫外发光条件,展现出在蓝光及紫外光发光二极管、激光器和光探测器上的重要应用价值。同时,根据理论预测,过渡金属掺杂的Zn0可以获得居里温度高于室温的铁磁性,它可广泛应用于自旋场效应晶体管(Spin-FET )、自旋发光二极管(Spin-LED)等器件,使器件速度更快,体积更小,功耗更低,稳定性更

【作者】

：

胡志刚

【机构】

：

四川师范大学

【发表日期】

：

2009年01期

【关键词】

：

ZnO薄膜溶胶-凝胶法共掺杂光致发光第一性原理

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