论文部分内容阅读
ZnO是一种宽带隙的半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具备优异的紫外发光条件,展现出在蓝光及紫外光发光二极管、激光器和光探测器上的重要应用价值。同时,根据理论预测,过渡金属掺杂的Zn0可以获得居里温度高于室温的铁磁性,它可广泛应用于自旋场效应晶体管(Spin-FET )、自旋发光二极管(Spin-LED)等器件,使器件速度更快,体积更小,功耗更低,稳定性更好。光学和磁性这两个自由度都有望应用在新型的电子信息材料器件之中,因此倍受人们的关注。本文采