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氧化锌由于自身的结构和性能在光电领域具有潜在的应用价值。同时通过过渡金属、稀土元素掺杂的氧化锌是一种优良的稀磁半导体材料。因此对于本征及掺杂ZnO的制备和研究对于氧化锌在不同领域的应用具有重大的意义。本文主要通过简单的CVD法制备本征及掺杂ZnO。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光(PL)谱、X射线光电子能谱(XPS)对其结构和性能进行表征。主要研究内容如下：本征氧化锌的研究：利用CVD法在不同条件下获得了不同结构的ZnO纳米材料。以石英玻璃为衬底，在不同温度下获得了ZnO的纳米针结构，并研究了石英玻璃上氧化锌的生长过程；在ITO衬底上生长出了ZnO的纳米线及团簇，纳米线的透射谱表明当温度低于810℃时，ZnO的吸收边发生蓝移，这可能是由于生长温度过低导致非晶态ZnO的形成造成的；通过采用Ni及Ag的硝酸盐作为催化剂前驱体，获得了ZnO的多足结构及纳米晶须，并且结果表明两种金属的硝酸盐作为催化剂前驱体进行ZnO生长的过程中，ZnO的生长分别服从气-固外延(VSE)及气-液-固(VLS)机制。氧化锌的Cu掺杂：本文主要通过CVD法进行Cu掺杂ZnO纳米带的制备及光学性能的研究。以CuO粉末为前驱体，首次利用C热还原法在900℃，910℃，920℃，930℃下获得了氧化锌的纳米带，通过EDS证明产物中存在Cu元素。在进行Cu催化ZnO生长机理分析的过程中我们在Cu衬底上获得了ZnO的纳米梳，及由纳米梳构成的多层结构；纳米带的室温下PL谱表明，随着纳米带中Cu掺杂浓度的升高，纳米带的UV与深能级发光峰强度比不断增大。氧化锌的Mn掺杂：以Mn为掺杂源对氧化锌进行掺杂，分别获得了尺寸不同的纳米棒，以及由纳米棒组成的微米花，通过XPS对Mn2p的微区分析结果表明Mn的发射峰位于640eV处，证明Mn2+的存在；通过对Mn掺杂ZnO室温下的PL谱的研究发现，Mn的掺杂能够在一定程度上抑制ZnO中缺陷所引起的深能级发光峰。