本工作采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术,在SiO₂ 表面上成功地制备了纳米晶粒多晶Si 薄膜。研究了淀积时间、衬底温度、反应气体压强和硅烷（SiH₄）浓度等工艺参数,对LPCVD 沉积生长纳米晶粒多晶Si 薄膜的影响,获得了制备最小晶粒尺寸和薄膜厚度的典型实验条件。采用热退火工艺,研究了退火温度和退火时间对纳米多晶Si 薄膜结构特征的影响。利用α台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱（Raman）等多种技术手段,对热退火前后薄膜的生长速率和结构特征进行了表征分析。初步探讨了硼（B）掺杂α? Si薄膜固相晶化（SPC）的过程,以及重掺杂纳米晶粒多晶Si 薄膜的电导特性。实验结果指出,利用LPCVD 技术不仅能够制备出纳米晶粒的多晶Si 薄膜,而且还可以通过改变工艺参数实现晶粒尺寸的可控生长。另外实验还证实,较低的退火温度和较短的退火时间,不仅可以使Si 晶粒尺寸保持在纳米尺度范围,而且还使其密度分布更加均匀。重掺杂纳米多晶Si 薄膜的晶粒尺寸,随退火温度的升高和退火时间的增加而变大,而电阻率值则趋于饱和,这是由B 元素在多晶Si 薄膜中的固体溶解度和激活率的限制所引起。