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原子与分子碰撞问题具有重要的理论探索与实际应用意义，吸引了许多学者的目光。本文在大量的理论工作与实验数据的基础上，采用密耦近似计算方法，以及T—T势能模型，计算了He、Ne、Ar、Kr、Xe—H2、D2、T2体系00——00弹性碰撞和00——02转动激发碰撞的微分截面(E=0.05eV、0.10eV、0.15eV、0.20eV、0.25eV)。通过对计算结果的分析，得出了微分截面随散射角度变化的基本规律，并得出了相对碰撞能量、体系约化质量、靶分子同位素替代等因素的改变对微分截面的影响。