本文对于微腔半导体激光器，提出站模型，能够较直观简洁地分析微腔半导体激光器的稳态和瞬态特性，利用此模型对具有重要实用价值的β=1的微腔半导体激光器进行了讨论；对于电流I噪声、自发发射寿命τ_sp噪声、自发发射因子β噪声、光子寿命τ_p噪声，以及电流调制、τ_sp调制、β调制、τ_p调制，在小信号近似下，得到了相应的激光器的传递函数；在大信噪比的前提下，对激光器进行了频域分析，分别计算了它们在不同参数下的信噪比增益，分析了其抗噪声性能。数值模拟的结果表明，对于无调制时的各种噪声，适当选取偏置电流和腔内参数可以提高微腔半导体激光器的抗噪声性能或激光输出的质量。对语音调制情况，如带通滤波器的通带范围取为300Hz-3400Hz，则激光器的抗噪声性能基本不依赖于偏置电流和腔内参数；当带通滤波器的通带范围增大到一定程度，调整偏置电流和腔内参数可以实现半导体激光器的高抗噪声性能。