环氧树脂（Epoxy,EP）由于其独特的性能被广泛用于电子封装领域。然而,随着微电子工业不断发展,电子设备趋于小型化和高频化,对EP复合材料的介电,力学和动态力学性能提出了更高的要求。凹凸棒土（Attapulgite,ATP）进行表面改性后引入EP基体中可以提高EP复合材料的力学性能和动态力学性能。为进一步提高EP复合材料的力学性能,降低相对介电常数和介电损耗,扩展其在电子封装领域的应用。本文采用氧化铝（Alumina,Al2O3）和二氧化硅空心球（Silica hollow sphere,SHS）分别与ATP复合制备ATP复合物（ATP-Al2O3和ATP-SHS）,通过向EP基体中引入ATP复合物制备了ATP-Al2O3/EP复合材料和ATP-SHS/EP复合材料。首先,在ATP含量为3 wt%前提下,制备了由改性ATP和改性Al2O3组成的复合物（ATP-Al2O3）,随后合成了用ATP-Al2O3复合物增强的EP复合材料。实验结果表明:Al2O3颗粒均匀的分散在ATP的棒状结构表面,ATP-Al2O3复合物均匀分散在EP基体中,通过在EP中掺入ATP-Al2O3复合物制备EP复合材料,ATP-Al2O3/EP复合材料的力学和动态力学性能得到增强。3 wt%ATP-3wt%Al2O3/EP复合材料的冲击和弯曲强度为27.88 k J/m~2和157.04 MPa,与纯EP的冲击强度（5 k J/m~2）和弯曲强度（83.56 MPa）相比有明显的提高。与纯EP相比,ATP-Al2O3/EP复合材料的玻璃化转变温度和介电强度增加,相对介电常数有所降低,介电损耗未发生明显变化。ATP-Al2O3复合物表面官能团具有与EP基体发生固化反应的能力,在固化进程中两相之间可以生成化学键,进而构建相对较强的界面作用力具有良好的界面效果,更加有效地实现通过改性复合而增强的应力传导。通过改进的St?ber方法制备了二氧化硅空心球,制备了由改性ATP和改性SHS组成的复合物（ATP-SHS）,然后ATP-SHS复合物被引入到EP基体中制备ATP-SHS/EP复合材料。3 wt%ATP-3 wt%SHS/EP复合材料的冲击和弯曲强度为24.62 k J/m~2和136.86 MPa,与纯EP的冲击强度（5 k J/m~2）和弯曲强度（83.56 MPa）相比有明显的提高。与纯EP相比,ATP-SHS/EP复合材料的相对介电常数明显降低,介电强度和玻璃化转变温度明显提高,介电损耗未发生明显变化。ATP-SHS复合物的加入能够弥补EP基体的缺陷,抑制了其变形能力,增强了ATP-SHS/EP复合材料的界面结合和应力传递效率。同时,由于SHS的空心结构能够引入更多的空气,可以进一步降低相对介电常数。更好的力学和介电性能伴随着更高的玻璃化转变温度可以扩大EP复合材料在电子封装中的实际应用。