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本文采用Sol-Gel工艺，探索并研究了不同热处理方式和终处理温度对制备c取向性PLZT/YBCO膜结构的影响，其结果如下: (1)通过探索薄膜热处理工艺，成功运用溶胶凝胶法在LAO衬底上制备了c轴取向的YBCO和在其上外延c轴取向的PLZT铁电薄膜，形成铁电/超导异质膜结构。确定运用快速热处理方法以30℃/s的升温速度升到650℃，并在这个温度下保温20分钟后随炉冷却至室温的热处理工艺为最优工艺。所制备PLZT/YBCO膜结构中PLZT薄膜在300K、25V测试条件下的剩余极化值为23.226μC/cm2，矫顽场约为78KV/cm，并且在经过109极化翻转后剩余极化值并没有下降，展现出良好的抗疲劳性能;室温下5V的漏电流约为90μA/cm2;25V的漏电流约为50000μA/cm2，满足于铁电薄膜在实际应用中的要求。 (2)铁电材料在25V的条件下，温度由300K降至60K时剩余极化值变化较小，只从300K时的23.226μC/cm2下降到60K时的20.24μ C/cm2，只降低了2.986μ C/cm2，而在这两个温度端点300K、60K上的矫顽场分别为:78KV/cm、184.5KV/cm，上升了106.5KV/cm，60K时的电场相比300K时上升了236.54％。 (3)漏电行为非常依赖外部的测试环境:当测试电压(±25V)一定时，随着温度的降低，漏电流在剧烈的下降，250K时漏电流约有18000μA/cm2，当温度下降到90K左右时，温度对于漏电行为的贡献开始变小，温度继续下降，漏电流的变化并不明显，70K时只有0.15μA/cm2。