【摘 要】
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本文利用Nd-YAG激光器(波长为1064nm,频率为10Hz)做光源,以锌铝合金为靶材,分别在石英玻璃和聚碳酸脂基体上沉积了Al掺杂ZnO薄膜,首次把基体温度降为室温并成功获得没有可见
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本文利用Nd-YAG激光器(波长为1064nm,频率为10Hz)做光源,以锌铝合金为靶材,分别在石英玻璃和聚碳酸脂基体上沉积了Al掺杂ZnO薄膜,首次把基体温度降为室温并成功获得没有可见光发射而只有紫外光发射的Al掺杂ZnO薄膜,电学性能实验表明适量的掺杂(本实验条件下为2.0wt.%Al)可显著降低ZnO薄膜的电阻率;同时以N2O为氮源沉积了具有P型导电特性的N掺杂ZnO半导体薄膜,通过优化激光能量密度,气体分压和基体温度等工艺参数获得了(002)择优取向。PL谱结果表明N, Al掺杂的ZnO薄膜,由于晶界钝化作用,与缺陷浓度有关的可见光发射受到抑制。N-Al共掺杂导致了薄膜中N-Al键的形成,而且Al的存在促进了N原子作为受主的掺入,其载流子浓度为2.49×1017 cm- 3,电阻率为68.3Ωcm,迁移率为0.54cm2/ Vs。
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