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该论文通过在原有国产FW-Ⅳ型分子束外延(MBE)系统上加装新型Ⅴ族阀控裂解固态源炉,在国内首次实现了全固源MBE含磷材料的生长,并对利用全固源MBE技术生长InP和InGaAsP材料的工艺条件进行了研究.
新型全固源MBE技术及其InGaAsP材料生成工艺的研究
【摘 要】
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该论文通过在原有国产FW-Ⅳ型分子束外延(MBE)系统上加装新型Ⅴ族阀控裂解固态源炉,在国内首次实现了全固源MBE含磷材料的生长,并对利用全固源MBE技术生长InP和InGaAsP材料的
【机 构】
：
清华大学
【出 处】
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清华大学
【发表日期】
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2000年期
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