InGaAsP相关论文
随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半......
通过有限元分析软件APSYS对1.0 eV的InGaAsP单结太阳电池进行建模仿真,通过改变基区的厚度和掺杂浓度,得到短路电流密度、开路电压......
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷......
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体......
介绍了ｎ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＧａＡｓＰ／０－ＩｎＰ结构的异质结光电三极管制作过程，并获得了对１．３μｍ的入射光，光增益达２２０，用带尾纤的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ发光管测量，光学增益达１４７０。
The fabrication proces......
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工......
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
A current controlled two......
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖......
针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑......
采用两次液相外延（ＬＰＥ）技术制备了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ内含吸收光栅的增益耦合型分布反馈（ＤＦＢ）激光器，成功地利用湿法腐蚀光栅技术，控制了吸收光栅的形状和占空比......
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用......
给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结......
对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了热稳定性能的研究，通过光荧光谱（ＰＬ）的测量发现：量子阱材料在６５０ ℃以上的常规退火条件下，有最大可达１５５ ......
采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变，即“光电压”信号作为频率标准，对ＩｎＧａＡｓＰ长波长半导体激光器进行稳频。
The use of optical abs......
传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起......
采用湿法化学腐蚀在气源ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽......
研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长......
报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验 ,得到 2 0 0nm的最大带隙波长蓝移 .另外 ,采用量子阱......
介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统.使用带宽50GHz的数字采样示波器,首次直观地展现了门模式(......
对1.55μm波长DFB结构的In Ga As P多量子阱激光二极管开展电子和60Co-γ射线辐照试验。试验结果表明,激光二极管的斜度效率主要受......
本文采用k×p方法,从能带结构出发,研究了柔性环境应变对于InGaAsP量子阱增益的影响.计算出在不同注入载流子浓度情况下,垂直(z)方......
采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP 多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s 的单片集成电吸收调制分布反馈激光器.集成器件激......
针对光纤量子通信用1.55μm单光子源的需要，本文提出了一种可用单片式(monolithic)工艺制作的InP/InGaAsP微柱型谐振腔设计方案......
Ⅲ-Ⅴ族太阳电池因超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力,主要广泛应用于太空领域,在太阳电池领域占领极其重要的地位。为了拓展......
学位
给出了描述InGaAsP注入式激光器中单模(单频)功率的下限和上限与腔长关系的简单表达式。发现,单模功率的下限与腔长成正比,而其上......
用汽相和液相外延制作的InGaAsP/InP1.3μm边发射发光二极管已获得较高的性能。最好的结果为出纤功率135μW(梯度光纤,芯径50μm、......
日立制作所研制了在波长1.3微米下振荡的理置式导质结 InP—InGaAsP 激光器,其阈电流为60毫安(实验室的最小值为20毫安),输出到5......
汽相生长的 InGaAsP/InP 双异质结激光器已经制成,在1.25微米下具有85毫安的室温连续阈值电流和超过50%的微分量子效率。在合适的......
InGaAsP激光器的阈值电流(I_(th))具有限强的温敏性,在室温经上尤其明显。以前曾指出,电子泄漏越过有源层与限制层之间的异质势垒......
美国贝尔实验室李天培等人发现把普通的1.3μm BH激光器,再解理制作成短腔(50～150μm)折射率导引激光器,在CW和调制两种情况下均能......
用一步液相外延生长了新月形台面-衬底隐埋-异质结构(CMSB)InGaAsP激光器(λ=1.3μm)。腔长200μm的器件脉冲工作下的阈值电流低至......
研究了InP、InGaAsP材料在质子轰击前后的光吸收特性和荧光特性,观察了热处理对这些光学特性的影响.用扫描电镜观察了DH片子解理面......
采用一种新的液相外延生长工艺,在1.3和1.5μm波长范围内实现了InGaAsP/InP平面隐埋异质结构激光二极管(PBH-LD)。由于有效的载流......
在1.55μm波长范围内,对深锌扩散窄平面条形InGaAsP激光器进行了实验论证。采用深锌扩散结构,改进了电流限制性能并得到了3μm条宽......
我们通过电学微分特性分析了阈值电流低达14mA的、特征温度T_0高达127K且阈值电流较高的波长1.3μm InGaAsP隐埋异质结(BH)激光器......
英国电信研究实验室最近报导,把一个1.5μm的InGaAsP激光器,一个端面涂有抗反射涂层,放入衍射光栅外腔中。通过旋转光栅,激射波长......
美国贝尔实验室采用从光激励的超外腔薄膜激光器(工作波长在1.15～1.54μm之间)发出的5～15ps的脉冲,测定超高速光电二极管的脉冲响应......
俄歇复合和载流子泄漏已作为InGaAsP激光器和LED_s的温度灵敏性高和内量子效率低的原因而被提出。本文发表了通过测量载流子寿命......
长波长光通信,因其具有低损耗、低色散特性而能进行长距离、大容量传输,被认为是光纤通信的重要发展.近几年来,国内外在致力于发......
在以往的文章中,一些作者认为俄歇复合可能是InGaAsP发光二极管(LED)输出功率饱和的机理。然而,最近一些报道则认为功率饱和也可......
日本NEC光电研究实验室介绍了一种新型高性能1.3μm InGaAsP半导体激光器,在这种激光器中电流可有效地限制到有源区中。在双异质......
