随着微电子技术向纳电子技术转变,人们对低指数硅表面的热情已逐渐被高指数硅表面取代了,因为最近发现稳定的高指数硅和锗表面不但能构成各种纳米结构,还有可能用作生长纳米器件的模板.在这一形势下,为了能对硅的高指数稳定表面进行系统的搜索,又能对它们的原胞结构的基本特征有一个快捷的了解,我们选择低能电子衍射（LEED）为主要手段,研究了广泛分布在硅的极射投影三角里的19个高指数表面样品.不稳定的（高指数）表面被充分退火后会小面化,这往往使它们的LEED图形变得十分复杂,难以标定.为了解决这个问题,我们首先发展了一套LEED图形拟合方法,用它能方便可靠地标定产生一个LEED图形的各稳定表面（小面）的指数.结果表明,尽管这些样品表面的大多数是不稳定的,但通过标定它们的LEED图,我们发现了四个新的稳定高指数表面：Si（15 1 17）、（20 4 23）、（314）和（3 1 7）,并确定Si（103）、（105）、（108）.（1111）和（212）都是稳定表面.已知稳定表面又可分为两类：主稳定表面和副稳定表面.此外,结合LEED和STM,我们还提出了稳定高指数表面Si（15 3 23）的原胞结构的具体构模型,指出它和Ge（15 3 23）的原胞结构十分相似,并对此给出了合理的解释.