面对高速发展的显示领域,有机薄膜晶体管将成为新一代柔性显示技术的核心,如何提高场效应迁移率以及器件的稳定性已经成为了目前研究的重要课题。本文研究了不同修饰衬底对酞菁氧钒(VOPc)有机薄膜晶体管的影响。通过绝缘层表面的静态接触角、酞菁氧钒薄膜的AFM图谱以及XRD图谱来分析判定不同自组装修饰层对器件I-V特性的影响。同时测试酞菁氧钒晶体管的空气稳定性,分析空气中影响器件稳定性的因素。通过研究发现,影响VOPc薄膜生长和OTFTs器件性能的原因既包含界面的亲疏水性能,也包括有机硅烷中烷基链的长度及端基结构。修饰层中不含卤族元素的长链基团能够很好地隔绝VOPc与绝缘层之间的相互作用,并降低绝缘层表面的陷阱浓度,利于形成大晶粒尺寸的、平整连续的、高取向度的有机半导体薄膜,从而提高内部载流子的传输效率;VOPc薄膜晶体管长时间存放在水氧环境下会导致器件电学参数的改变,包括迁移率的降低和阈值电压的正向漂移。这些结论的得出对今后有机半导体薄膜的生长、有机薄膜晶体管性能的提升以及器件的封装技术具有很好的指导意义。