目前,各类以大数据为基础的算法应用推动着电网向智能化方向发展,为了顺应智能电网的快速发展,需要高性能、高密度的存储器件来存储海量数据。同时,以可穿戴智能操控产品为代表的新一代电子设备对器件提出了透明、柔性等新的要求。非透明、硬质等缺点使得传统硅基存储器已经无法满足这些新兴电子设备的要求,而冯诺依曼结构的运算瓶颈也进一步限制了设备发展。因此,研究能满足新一代电子设备需求的存储器已成为必然之势。基于有机晶体管的浮栅型非易失性存储器因其高柔性、非破坏性读取、高性能、高密度和易于制造等优势已经被广泛的研究。本文基于薄膜晶体管结构,采用大带隙半导体C8-BTBT作为有机半导体层以实现良好的透明度,研究了核壳结构的Cd Se/ZnS量子点与绝缘聚合物PVP共混作为电荷捕获层,以及银纳米线（Ag NW）作为电荷捕获层的两种非易失性存储器,并对器件的工作机理进行了解释。研究内容主要包括以下两个方面:1、研究了基于Cd Se/ZnS量子点浮栅的透明有机非易失性存储器。基于底栅顶接触的晶体管结构,以ITO玻璃为衬底,原子层沉积（ALD）的Al2O3为绝缘层,并利用Cd Se/ZnS量子点嵌入PVP中作为浮栅层,制备了基于C8-BTBT半导体的透明有机浮栅型非易失性存储器。量子点均匀分布的共混型浮栅确保了器件电荷的捕获能力。同时,还研究了不同量子点浓度对存储器的透明度和存储性能的影响。测试结果表明量子点浓度为8%时,器件的透明度超过83%,存储窗口超过30V,存储电流比大于10~3,保持时间大于10~4s。最后从能带结构出发研究了器件的工作机理;2、研究了基于可调控浮栅的透明有机非易失性存储器和易失性突触晶体管。基于底栅顶接触的晶体管结构,以ALD的方式在ITO玻璃上沉积Al2O3作为衬底和绝缘层,以Ag NW为浮栅,PVP为隧穿层,并以碳纳米管为透明源漏电极,制备了基于C8-BTBT半导体的透明有机浮栅型非易失性存储器。研究了Ag NW浓度对存储器透明度和存储性能的影响。测试结果表明Ag NW浓度为0.05 mg/ml时,器件透明度高于81%,存储窗口超过40V,开关比大于10~3,保持时间大于10~4s。此外,还以ITO-PET为衬底测试了器件的柔性性能,即使器件在18 mm弯曲下仍能保持良好的透明度和存储性能。接下来通过调控Ag NW浓度至0.2 mg/ml,得到了同结构的透明突触器件,并研究了其突触性能。成功模拟了包括兴奋性突触后电流（EPSC）/抑制性突触后电流（IPSC）和突触可塑性（LTP/D）在内的突触行为,并对其转换机理进行了解释。