作为激光加工技术领域的核心部件高功率半导体激光器,其封装与制备技术是十分重要的环节。封装质量直接影响激光器的光谱参数、光电参数、可靠性以及工作寿命。为了降低激光器封装时产生的热应力、提高其散热性能,进而提升封装质量,以808nm单管半导体激光器为研究对象,主要对半导体激光器的热沉、焊料、封装步骤、工艺参数等问题进行了研究。主要工作如下:1)为匹配尺寸为4mm×0.5mm的GaAs激光器芯片,对过渡热沉和底座热沉进行了材料的选择和结构的设计。为降低激光器的封装应力,提高其散热性,对芯片焊接和过渡热沉烧结的焊料进行了材料选择。研究芯片腔面探出位置以减少COD(光学灾变损伤)的产生。2)设计封装工艺步骤,简析并选择封装工艺,初步设定工艺参数。3)对比不同工艺参数下芯片的SEM(扫描电子显微镜检测)图像、激光器的剪切力、光电参数以及热应力。对较为理想的工艺参数下封装的激光器进行热阻及结温的计算,并加速老化推算出其工作寿命。