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ZnO是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60meV，高于室温热能26meV，因而理论上室温下即会获得高效的紫外激子发光和激光。要实现在光电领域的广泛应用，首先必须获得性能良好的n型和p型ZnO材料。然而，由于ZnO薄膜中存在的本征缺陷，加上受主元素在ZnO中的溶解度较低且引入的受主能级均较深，p型ZnO薄膜的制备存在较多难点，从而影响了ZnO薄膜的应用，因此性能良好的p型ZnO材料就成为了ZnO研究工作者的研究难点和重点。在实现ZnO薄膜p型转变的研究中，