随着科学技术的发展及生活方式的改变,人们对于电子产品外观及功能要求日益增多,便携式、可穿戴、可弯曲折叠的柔性电子器件逐渐成为主流,因此,开展柔性电子技术的研究具有重要意义。如果将存储器与信息处理单元集成于柔性电子器件系统,不仅可以进行实时感知,而且有助于降低功耗、提升计算速度和存储容量,这对加快柔性可穿戴设备的商用化具有重要的推动作用。其中,阻变存储器由于其高集成度、快读写速度、低功耗及易与CMOS工艺相兼容等优点成为下一代存储器的有力竞争者,且其符合集成于柔性存储器的技术需求,是应用于柔性存储器的研究热点。然而目前报道的柔性阻变存储器的性能仍不及硅基器件,特别是在弯曲应力作用下,其高/低阻倍率、一致性、可靠性及稳定性等快速衰减,甚至失去阻变特性。本论文将对如何提升柔性阻变存储器的“耐柔性”开展研究,为获得具有高机械延展性和良好性能的柔性阻变存储器提供一定理论基础及集成方案。本论文在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上制备了结构为Ta/Ta O_x/Pt的柔性阻变存储器。首先改变阻变层薄膜厚度,将不同Ta O_x厚度的器件进行弯曲测试,实验结果表明减小Ta O_x的厚度可以提高柔性存储器的柔韧性。Ta O_x薄膜厚度为5 nm的器件在弯曲半径为2 mm的状态下,可以稳定循环10~8次,并且在2mm弯曲半径下弯曲10000次后,仍然可以达到10~8次循环。其次增大生长阻变层薄膜时的氧分压,器件失去electroforming-free特性,对其进行弯曲测试,发现相较于平坦状态,器件弯折之后耐久性出现了明显的下降,说明electroforming特性对于柔性阻变存储器的柔韧性有着不可忽视的影响。最后,为了进一步探究将该器件集成到实际柔性电子器件中的可行性,通过光刻工艺,在柔性PI衬底上制作了一个10μm×10μm的crossbar阵列。通过相同的弯曲测试,验证器件在弯曲状态表面一致性良好,并且在2 mm弯曲半径状态下及2 mm半径弯曲10000次后同样可以循环10~8次,说明该crossbar器件同样具有优异的柔韧性。本论文创新性的提出阻变层厚度及electroforming-free性质对于阻变存储器柔韧性的影响并加以验证,为制备出具有更高柔韧性的柔性阻变存储器提供可行性思路。