【摘 要】
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该文用提拉法生长出一系列Mg:In:LN晶体,并对晶体进行了极化和加工.通过大量实验结合理论分析,设计了合适的温场,确定适宜的提拉速度和旋转速度等Mg:In:LN晶体生长的工艺参数
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该文用提拉法生长出一系列Mg:In:LN晶体,并对晶体进行了极化和加工.通过大量实验结合理论分析,设计了合适的温场,确定适宜的提拉速度和旋转速度等Mg:In:LN晶体生长的工艺参数.运用X-射线技术,对Mg:In:LN晶体进行了物相分析,测定了晶体的晶格结构.用直接观测光斑畸变法测试了Mg:In:LN晶体的抗光损伤能力,结果表明,Mg(3mol﹪):In(2mol﹪):LN晶体的抗光损伤能力比纯LN晶体的抗光损伤能力高3个数量级,这要优于单掺Mg或In的LN晶体.进行了Mg:In:LN晶体的倍频性能的研究,测试的结果为,未镀膜Mg(3mol﹪):In(2mol﹪):LN晶体的倍频转换效率为64﹪,相位匹配温度为23℃.这表明Mg(3mol﹪):In(2mol﹪):LN晶体是一种优良的倍频晶体材料.
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