氧化锌（Zinc oxide,简称ZnO）是具有六角纤锌矿结构的金属氧化物。室温下具有宽度为3.37 eV的直接带隙,ZnO的激子束缚能比较高（约为60 meV）,远超过常温下的激活能,激子能够在室温或更高的温度下稳定存在且不会发生电离,激子的再结合过程可以应用到ZnO光电器件中。通过合适的方法可以合成优异性能的ZnO功能材料。本文采用溶胶-凝胶工艺（Sol-Gel）,选用乙二醇甲醚作为体系的溶剂,乙酸锌为体系的前驱物,乙酸镁和氯化钠分别为胶体体系提供Mg源和Na源,单乙醇胺作为胶体体系的稳定剂,使用旋转涂覆工艺在玻璃基底上经预退火处理和高温热处理后成功制备了本征ZnO薄膜、Mg_xZn_1-xO复合薄膜和Na_yMg_0.2Zn_0.8-yO复合薄膜。通过对本征ZnO的研究总结出退火温度500℃、旋涂5次为成膜最佳条件。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见分光光度计（UV-vis）、光致发光谱（PL）等测试手段对样品进行表征,分别对半导体薄膜的晶格参数与结构、结晶质量、薄膜微观形貌、光学透过率及其禁带宽度进行了分析与研究。结果表明:（1）向ZnO薄膜中引入Na元素与Mg元素后,C轴择优生长更加明显,Na⁺浓度增加后复合薄膜的晶粒尺寸发生了变化;（2）通过比较Mg_xZn_1-xO（x=0.01、0.02、0.03）复合薄膜的PL谱,推测380 nm处的紫外发射可能是ZnO的自由激子复合引起的,引入Mg元素后ZnO薄膜禁带宽度增大;（3）Na_0.02Mg_0.2Zn_0.78O复合薄膜结晶质量良好,且光学性能优异,Na_0.02Mg_0.2Zn_0.78O复合薄膜的PL谱仅有一个强度较大的紫光发射峰,与本征Zn O相比紫外发光峰的强度明显增强,表明复合薄膜紫外发光性能较好。