【摘 要】
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随着沟道长度的不断缩小,其中的电场增加、迁移率退化、带间隧穿、杂质涨落等效应将严重影响器件的性能.对于MOSFET工作原理的分析和模拟已逐渐开始在经典、准经典模型的基础
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随着沟道长度的不断缩小,其中的电场增加、迁移率退化、带间隧穿、杂质涨落等效应将严重影响器件的性能.对于MOSFET工作原理的分析和模拟已逐渐开始在经典、准经典模型的基础上考虑各种量子效应、隧道效应,发展能够准确描述超深亚微米、纳米MOSFET的器件模型和提供模型参数的参数提取程序已成为重要的课题.对适用于超深亚微米电路模拟的MOSFET器件模型进行了研究,针对目前主流的新器件结构(即横向沟道非均匀掺参halo或者称为pocket结构),从器件物理最基本的高斯定理出发,求解MOSFET表面势,进而建立了它的解析阈值模型.
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